一、实验背景与目的

碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，凭借其高硬度（莫氏硬度9.5）、高导热性（490 W/m·K）、卓越的耐高温性（熔点约2700℃）及强耐腐蚀性，在航空航天、新能源、半导体封装等高科技领域具有不可替代的地位。

近日，WilliamHill智能装备有限公司凭借自主研发的气流粉碎机，成功帮助客户完成了一项突破性实验：将<2mm的碳化硅原料精准粉碎至D50＜0.9微米，以卓越的技术实力实现了从毫米级到亚微米的超微粉碎。

二、实验设备及优点

本次实验采用JFQ-100型气流粉碎机，该设备集成了超音速多喷嘴加速系统与高精度涡轮分级器，专门针对高硬度、高纯度材料的超微粉碎需求而设计。其核心优势在于：

1.粒径精准调控：采用智能变频分级系统，可实时动态调整分级轮转速，确保成品D50稳定＜1微米；

2.耐磨抗污染设计：粉碎腔特制内衬，耐磨性提升300%，有效避免金属污染；

三、实验过程与数据

实验中，原料经预处理及精确给料控制，进入粉碎腔后在超音速气流作用下发生高频碰撞与摩擦。在30分钟连续运行下，最终经欧美克激光粒度分析仪检测：成品D50=0.83微米、D90=1.58微米的超细粉体，且粒度分布曲线呈正态分布，完全符合客户对半导体级碳化硅的严苛要求。

四、结语

WilliamHill始终专注超细粉体粉碎及分级技术研发、生产、销售、服务于一体，诚邀各行业伙伴携手合作，共同发展！免费试验热线：+86-0816-2260222